固态硬盘读写原理图解(固态硬盘读写原理是什么)

导语：固态硬盘读写原理

固态硬盘闪存颗粒是NAND-flash闪存颗粒，分成slc、mlc、tlc和qlc，plc还未问世。

slc、mlc、tlc、qlc、plc分别能存储1bit、2bit、3bit、4bit、5bit的数据。

slc分成0和1。

mlc分成00、01、10和11四种。

Flash的基本存储单元是浮栅晶体管。浮栅晶体管最下面是衬底substrate、源极source、漏极drain。衬底的上面，有隧道氧化层（隧穿层）、浮栅层Floating Gate、氧化层和控制栅极。中间的浮栅层Floating Gate被绝缘层包围着，电子易进难出，通过对Floating Gate进行充放电，来对晶体管进行写入和擦除。根据浮栅层中有没有电子，可以表示数据。SLC中，把有电子的状态标记成0，没有电子的状态标记成1。

位线：把所有的cell串联起来的导线称为“位线”。

字线：把多个并联的cell串中相同位置的cell水平贯穿起来的导线组称为“字线”。

一般1个page是528字节，其中数据块大小是512Bytes+OOB块大小是16Bytes。如果NAND物理上是2K的Page，那么每个Page分配64Bytes的OOB。

鼓励的话语：懦弱无刚为奇耻大辱；男儿自立须有倔强之气！

免责声明:本站部份内容由优秀作者和原创用户编辑投稿，本站仅提供存储服务，不拥有所有权,不承担法律责任。若涉嫌侵权/违法的，请反馈，一经查实立刻删除内容。本文内容由快快网络小涵创作整理编辑！