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p结内建电场的方向(PN结内建电场能不能驱动外部负载)

导语:PN结-内建电场

P型半导体:B掺杂,多余的空穴,少子的电子。

N型半导体:P掺杂,多余的电子,少子的空穴。

PN结具有整流特性,即正向导通,反向截止。

内建电场:

内建电场的概念

半导体=P型半导体+N型半导体

A.PN结外接电源:/正向偏置:导通

\反向偏置:截止

B.PN结电容:/势垒电容

\扩散电容

B-1.势垒电容

位置:发生在PN结交界处

原理:两端电压引起交界处电荷量的变化

研究对象:主要是多子

PN结变窄,空间电荷区变小,结中空间电荷量变少~电容放电:正向电压升高、反向电压减小。

PN结变宽,空间电荷区变大,结中空间电荷量变多~电容充电:正向电压减小、反向电压升高。

B-2.扩散电容

位置:正向偏置

研究对象:少子

原理:当电压正偏,且变大时,P区中的少子(负离子)与N区的少子(空穴)浓度梯度增大。

A与B的关系:

当PN结正向偏置时,电阻小,主要表现为扩散电容;

当PN结反向偏置时,电阻大,主要表现为势垒电容。

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