p结内建电场的方向(PN结内建电场能不能驱动外部负载)

导语：PN结-内建电场

P型半导体：B掺杂，多余的空穴，少子的电子。

N型半导体：P掺杂，多余的电子，少子的空穴。

PN结具有整流特性，即正向导通，反向截止。

内建电场：

内建电场的概念

半导体=P型半导体+N型半导体

A.PN结外接电源：／正向偏置:导通

＼反向偏置：截止

B.PN结电容：／势垒电容

＼扩散电容

B-1.势垒电容

位置：发生在PN结交界处

原理：两端电压引起交界处电荷量的变化

研究对象：主要是多子

PN结变窄，空间电荷区变小，结中空间电荷量变少~电容放电：正向电压升高、反向电压减小。

PN结变宽，空间电荷区变大，结中空间电荷量变多~电容充电：正向电压减小、反向电压升高。

B-2.扩散电容

位置：正向偏置

研究对象：少子

原理：当电压正偏，且变大时，P区中的少子（负离子）与N区的少子（空穴）浓度梯度增大。

A与B的关系：

当PN结正向偏置时，电阻小，主要表现为扩散电容；

当PN结反向偏置时，电阻大，主要表现为势垒电容。

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