逆变器的工作原理及结构(简述逆变器的工作原理)

在生活中，很多人可能想了解和弄清楚逆变器的工作原理的相关问题？那么关于逆变器的工作原理及结构的答案我来给大家详细解答下。

1.直流电可以通过震荡电路变为交流电

2.得到的交流电再通过线圈升压（这时得到的是方形波的交流电）

3.对得到的交流电进行整流得到正弦波

AC-DC就比较简单了 我们知道二极管有单向导电性

可以用二极管的这一特性连成一个电桥

让一端始终是流入的 另一端始终是流出的这就得到了电压正弦变化的直流电 如果需要平滑的直流电还需要进行整流 简单的方法就是连接一个电容Inverter是一种DC to AC的变压器，它其实与Adapter是一种电压逆变的过程。Adapter是将市电电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出，而Inverter是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电；两个部分同样都采用了目前用得比较多的脉宽调制（PWM）技术。其核心部分都是一个PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，Inverter则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3.6～40V，其内部设有一个误差放大器，一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。

以下将对Inverter的工作原理进行简要介绍：

输入接口部分：

输入部分有3个信号，12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供，ENB电压由主板上的MCU提供，其值为0或3V，当ENB=0时，Inverter不工作，而ENB=3V时，Inverter处于正常工作状态；而DIM电压由主板提供，其变化范围在0～5V之间，将不同的DIM值反馈给PWM控制器反馈端，Inverter向负载提供的电流也将不同，DIM值越小，Inverter输出的电流就越大。

电压启动回路：

ENB为高电平时，输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。

PWM控制器：

有以下几个功能组成：内部参考电压、误差放大器、振荡器和PWM、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。

直流变换：

由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路，输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作，使得直流电压对电感进行充放电，这样电感的另一端就能得到交流电压。

LC振荡及输出回路：

保证灯管启动需要的1600V电压，并在灯管启动以后将电压降至800V。

输出电压反馈：

当负载工作时，反馈采样电压，起到稳定Inventer电压输出的作用。

其实你可以想象一下了.都有那些电子元件需要正负极,电阻,电感一般不需要.二极管一般坏的可能就是被击穿只要电压正常一般是没有问题的,三极管的话是不会导通的.稳压管如果正负接反的话就会损坏了,但一般有的电路加了保护就是利用二极管的单向导通来保护.在就是电容了,电容里有正负之分的就是电解电容了,如果正负接反严重的话其外壳发生爆裂.

主要元件二极管.开关管振荡变压器.取样.调宽管.还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理.

逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关 断晶闸管（GTO）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率，在高压大容量系统中一般 均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（100KVA以 上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件

大件：场效应管或IGBT、变压器、电容、二极管、比较器以及3525之类的主控。交直交逆变还有整流滤波。

功率大小和精度，关系着电路的复杂程度。

可以看一下手机充电器，这就是一个小开关电源！

IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。

温馨提示：通过以上关于逆变器的工作原理内容介绍后，相信大家有新的了解，更希望可以对你有所帮助。