在生活中，很多人可能想了解和弄清楚去参加应聘，面试官考我OC门、OD门和推挽输出的相关问题？那么关于oc门原理的答案我来给大家详细解答下。

硬件工程师的笔试题中经常会考 OC 门和 OD 门，有的放在面试中问，多个 OC 或者多个 OD 门能组成线与结构，线与结构考的更频繁，还有一个推挽输出，有一些单片机的 GPIO 用的就是这种结构，如最常见的 STM32。

1. OC 门

OC 意为集电极开路，结构如下：

OC 门电路

A=0，①截止，②导通，相当于开关闭合，输出 0V（实际输出不是 0V，因为三极管存在饱和压降）。A=1，①导通，②截止，相当于开关断开，C 点呈现高阻态，通常情况下 C 点要有上拉电阻，以输出高电平。I2C，SMB 类型总线就是 OC 门或 OD 门，也是因为这种 IO 的高阻态输出和线与逻辑才能让他们能够有一个 master，多个 slave，也不会出现短路情况。

使用注意事项：

上拉电阻太小，会增大饱和压降，导致输出的低电平很高。

上拉电阻太大，会延缓信号的上升沿。

OC 门可以连在一起，做“线与逻辑”。

上拉电压可以根据下一级输入端的电平标准来选择，但也要注意芯片输出端口的电压 maximal rating

2. OD 门

把 OC 门的三极管换成场效应管，就是 OD 门，OD 意为漏极开路。

OD 门电路

A=0，①关闭，②导通，相当于开关闭合，输出 0V（因为 MOS 管的导通阻抗很低，所以输出几乎等于 0）。A=1，①导通，②关闭，相当于开关断开，C 点呈现高阻态，通常情况下 C 点要有上拉电阻，以输出高电平。I2C，SMB 类型总线就是 OC 门或 OD 门，也是因为这种 IO 的高阻态输出，和“线与逻辑”才能让他们能够有一个 master，多个 slave。

使用注意事项：

上拉电阻太小，会导致 MOS 管②的导通电流过大，烧毁 MOS 管。

上拉电阻太大，会延缓信号的上升沿。

OD 门可以连在一起，做“线与逻辑”。

3. 推挽输出

推挽输出又叫 push-pull，很多芯片的部分 GPIO 会支持这个功能。

用 NPN+PNP 制作的推挽输出结构如下：

三极管推挽输出

用 PMOS+NMOS 制作的推挽输出结构如下：

input 输出高电平时，PMOS 截止，NMOS 导通，output=0V

input 输出低电平时，PMOS 导通，NMOS 截止，output=VDD

MOS 管推挽输出

推挽输出结构的低电平输出能力与 OC 门或 OD 门是一样的，但是高电平输出能力比 OC 门或 OD 门强很多，因为是直接上拉到了电源！因此推挽输出可以输出很高的电流。需要注意的是，配置为推挽输出的两个管脚，如果连载一起，一个配置为输出高，另一个配置为输出低，会产生很大的电流，导致 IO 烧毁。

温馨提示：通过以上关于去参加应聘，面试官考我OC门、OD门和推挽输出内容介绍后，相信大家有新的了解，更希望可以对你有所帮助。