光刻后烘的作用(光刻曝光后烘烤的目的)

导语：光刻加工中烘烤步骤的注意点

原位芯片_MEMS加工|光刻加工|MEMS代工，实现更多科研可能！光刻加工中涂布后，所得的抗蚀剂膜将包含20 – 40％重量的溶剂。后涂覆烘烤工艺，也称为软烘烤或预烘烤，涉及在旋涂之后通过除去该过量溶剂来干燥光致抗蚀剂。减少溶剂含量的主要原因是使抗腐蚀剂膜稳定。

在室温下，光刻加工未烘烤的光致抗蚀剂膜将通过蒸发而损失溶剂，从而随时间改变膜的性能。通过烘烤抗蚀剂，去除了大部分溶剂，并且该膜在室温下变得稳定。从光致抗蚀剂膜上去除溶剂有四个主要效果：（1）减小膜的厚度；（2）曝光后烘烤并改变显影性能；（3）改善粘合性；（4）膜的粘性降低因此不易受到微粒污染的影响。

烘烤大多数光刻胶还有其他结果。在高于约70°C的温度下，一种典型的抗蚀剂混合物的感光组分（称为光敏化合物（PAC））可能开始分解。同样，树脂，抗蚀剂的另一种成分，可以在升高的温度下交联和/或氧化。这两种效果都是不希望的。因此，光刻加工时必须寻找最佳的预烘烤条件，该条件将使溶剂蒸发的益处最大化并使抗蚀剂分解的危害最小化。对于化学放大的抗蚀剂，残留溶剂会在曝光后烘烤期间显着影响扩散和反应性能，因此有必要对涂覆后的烘烤过程进行仔细控制。

光刻加工中有几种方法可以用来烘烤光致抗蚀剂。最明显的方法是烤箱烘烤。在1970年代和1980年代初期，传统的光致抗蚀剂在90°C的对流烤箱中烘烤是典型的。尽管曾经使用对流烤箱进行光致抗蚀剂的预烘烤，但目前最流行的烘烤方法是加热板。使晶片与热的高质量金属板紧密接触或紧密接触。由于硅的高导热性，光刻胶很快被加热到热板温度附近（硬接触约5秒，近距离烘烤约20秒）。此方法的最大优点是，与对流烤箱相比，所需的烘烤时间减少了一个数量级，大约为一分钟，并改善了烘烤的均匀性。通常，为了减少由于与晶片背面接触而产生颗粒的可能性，优先进行近距离烘烤。

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