电解电容的漏电流定义(电解电容漏电流是什么意思)

导语：电解电容器之十二：漏电流的产生根源

l漏电流产生的根源

铝电解电容器的介质膜是由电化学方法形成的Al2O3膜，因厚度极薄，易受原材料纯度、制造工艺等因素的影响，故在介质膜表面总是或多或少存在微小缝隙、杂质和疵点，同时在晶体结构上易形成晶格缺陷。这样，铝电解电容器在施加电压后，就在上述这些隐患处形成电子电流和离子电流，其中以电子电流为主。此外，应考虑电容器表面漏导电流的影响，它与元件表面状况(如表面的粗糙度、清洁度)及环境的温湿度均有关。因此，漏电流是电解电容器极为重要的电气参数之一，是衡量电解电容器品质优劣、制造工艺是否得当和工艺卫生文明生产的一个直接标志。

l漏电流的表达式

铝电解电容器的漏电流从等效电路可知，它是氧化膜介质的体积漏导电流IV和通过表面的漏导电流IS之和，如图1-7所示,其表达式为：

ILC=IV+IS

体积漏导电流IV : 因介质氧化膜的体积电阻RV :

电容器的漏电流示意图

式中: U—施加电压，V；

k—腐蚀系数；

SO—光箔几何面积，cm2；

γ—氧化膜电导率，(Ω·cm)-1；

ρ—氧化膜电阻率， Ω·cm；

Uf—形成电压，V；

α—形成常数，对于铝阳极箔α=1.4×107cm/V。

另一表达式:

K值约为0.01～0.1,此值正好在CD11型和CD110型铝电解电容器K值的规定范围内,

则IV≈(0.01～0.1)CU μA

根据固体电介质电导理论可知，理想介质的欧姆定律可以适用到击穿电场强度E=106～107V/cm的范围。在弱电场下介质氧化膜电导率γ与电场强度E的关系趋于平坦，符合欧姆定律。在强电场下电导行为是离子电导和电子电导，且电子电导占主要地位。

A.离子电导γi在强电场下γi随着E的上升而增加，这可认为是由于离子迁移率与E有关所造成的。其电导率γi为：

B.电子电导γe在强电场下γe将随着E的变化有下式关系：

公式中α、b、k1、k2、γ是常数，T为绝对温度，E为电场强度。

表面漏导电流IS：

IS大小与所用封口材质物性和表面状况如清洁度等有关，难以用某一公式定量来描述。因此，清洗对降低IS 有极其重要作用。

综上所述，在工程上漏电流通用表达式为：

ILC=IV+IS=KCU+M

一般地说，当电容器的CU值比较大，IS≤IV时，M=0。当CU值比较小时，IS对IV影响比较大，不可忽略，M可取0～20

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