igbt驱动电路设计方案(igbt驱动原理)

导语：IGBT驱动等设计的关键技术

IGBT驱动等设计的关键有几点：

1、门极电压

开通电压(13.5-16.5)15V 不能超过20V

偏高-------IGBT的过载能力降低 短路时间减小

偏低-------IGBT电流拖尾长发热严重

关断电压 负压为-5V到-10V，抽取载流子的速度快

关断电压 零电压 有源米勒嵌位

2、门极电阻的选择

低感值（漏感）<5Nh 最好采用并联来减小寄生电感（电感和电阻一样越并越小）

精度高 (低误差)

低温漂（要求温漂小如金属氧化膜电阻）

门极电阻的影响：

太小 开启和关断的速度快但di/dt大 产生尖峰电 压

大 开关的损耗大 发热大 减小了有效死区时间

门极电阻的结构形式的几种电路形式

布线设计时要尽可能短

回流面积小（减小干扰别人和被别人干扰）

同一PCB 跨板用绞线（类似于电子管灯丝线的做法打乱磁场的方向已到达较好的EMI效果）

3、下桥驱动电路的共轭干扰，采用优良的布线方式到达目的。

电容 低ESR 低ESL

如果是更大的电流等级 如300A 就必须采用独立供电的方式。两单元单臂桥。

4、尽量利用布线降低母线的电感 地线的电感 叠 层

5、缓冲吸收电路的设计

相应的检测电路

电流检测 如下图

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