二氧化硅层的用途是什么(二氧化硅层的用途和作用)

导语：二氧化硅层的用途

1、表面钝化

2、掺杂阻挡层

3、表面绝缘体

4、器件绝缘体

5、缓冲层

6、隔离层

作为选择性掺杂的掩模：Si0₂的掩蔽作用是指，Si0₂膜能阻挡杂质（例如硼、磷、砷等）向半导体中扩散的能力。利用这一性质，在硅片表面就可以进行有选择地扩散。同样对于离子注人Si0₂，也可作为注人离子的阻挡层。

作为隔离层：集成电路中，器件与器件之间的隔离可以有PN结隔离和Si0₂，介质隔离。

Si0₂，介质隔离比PN结隔离的效果好，它采用一个厚的场氧化层来完成。

作为缓冲层：当Si₃N4   。直接沉积在Si衬底上时，界面存在极大的应力与极高的界面态密度，因此多采用Si3N4（原子晶体）。/Si0₂（二氧化硅），/Si（硅）结构，当进行场氧化时，Si0₂（二氧化硅），会有软化现象。可以清除Si3N4和衬底Si之间的应力。

作为MQS器件的绝缘栅介质：在集成电路的特征尺寸越来越小的情况下，作为MQS结构中的栅介质的厚度也越来越小。此时Si0₂，作为器件的一个重要组成部分（如图1所示），它的质量直接决定器件的多个电学参数。同样Si0₂也可作为电容的介质材料。

作为绝缘层：在芯片集成度越来越高的情况下就需要多层金属布线。它们之间需要用绝缘性能良好的介电材料加以隔离，Si0₂就能充当这种隔离材料。

作为保护器件和电路的钝化层：在集成电路芯片制作完成后，为了防止机械性的损伤，或接触含有水汽的环境太久而造成器件失效，通常在IC制造工艺结束后在表面沉积一层钝化层，掺磷的Si02，薄膜常用作这一用途。

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