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芯片的设计制造封装规则变了有利于发展吗(芯片设计制造封装)

导语:芯片的设计、制造、封装规则变了,有利于中国芯片产业

众所周知,过去的几十年,芯片产业一直遵循着摩尔定律走,那就是“集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍。”

而基于这个定律,芯片工艺越来越先进,从28nm到14nm、到10nm、再到7nm、5nm等等,都是为了让晶体管密度更大,实现18个月翻一倍。

但当工艺进入到5nm后,还要保持住18个月翻一倍,就越来越难了。比如从5nm到3nm就要花2年多时间,而从3nm到2nm,可能2年多时间都不够。

而从晶体管密度来看,现在18个月实现不了翻倍了。拿TSMC的工艺来看,5nm时,晶体管的密度是1.73亿个每平方毫米,但到了3nm时变为2.9亿个,没有翻倍吧。而从3nm到到2nm时,晶体管密度为4.9亿个,也没有翻倍了吧。

所以再保持摩尔定律这样的发展,明显是不太可能了,所以芯片厂商们也是另辟蹊径,用另外的办法,来推动芯片产业的发展。

从现在的情况来看,这个不断的推动工艺进步,让晶圆管密度增加的逻辑或者说规则已经变了。

一是厂商们以期用更先进的封装技术,来提升芯片的性能,不再唯工艺论。比如TSMC的3D封装,将两块裸芯片(Die)重叠在一起,同样的工艺,实现性能翻倍,后续肯定会发展到更多块Die重叠。

而苹果也推出了这样的胶水芯片,将两块M1 Max拼接在一起,做成了M1 Ultra,直接性能翻倍。

二是用小芯片技术,将不同工艺、不同类型的芯片,通过一定的标准连接在一起。在3月份的时候,英特尔、ARM等10家巨头成立了小芯片联盟,推出了UCle标准。

这个标准允许厂商们将7nm、14nm、28nm等不同工艺,以及不同类型的比如CPU、GPU、DRAM、CMOS等封装在一起,形成一个大的芯片系统,从而提升性能。

而这两种办法,对于中国芯片产业而言,都是一个利好,原因是大家不再一味的追求工艺极限了,而是放缓了脚步,在当前工艺下,采取另外的方式来提升性能。

而提升工艺,目前正是我们的最大阻力,但通过3D封装、UCle等标准,将相对成熟的工艺的芯片,封装在一起,相对而言难度就小了很多,阻力小很多。

这可以让我们在不那么先进的工艺下,也能搞出先进性能的芯片出来,这不是有利于我们的芯片产业是什么?

本文内容由小玥整理编辑!