电源ic原理(电源ic长什么样)
导语：电源IC FAE 7年经历
感觉每次上电源网，都隔了好长时间，想想当时刚入行时，特别好学，在电源网上学到很多东西，也交了很多志同道合朋友。这一晃，大家都老了，都从懵懂少年到油腻的中年大叔，也看着很多朋友们从助工一步步到工程师，主力工程师。有些能力强的朋友有做研发主管带团队的。这些年，我也在成长，开贴打算说说这几年的事，也算做个总结。有技术问题的，大家可以交流下，FAE的工作，本来也是协助研发处理技术问题。
看过我以前帖子的，应该知道，我10年入行，助工开始，12年换了工作，做研发，15年初由研发转为FAE，这一做就步入了第7个年头了。
想深入浅出的讲解下开关电源，想让刚入行的人，也有大致的了解，所以前期可能会说的都很简单。
打算规划更新流程为：
1、反激的工作原理。
2、方案的选型与变压器设计。
3、EMI的整改。
1、反激的工作原理。
1-1、原边反馈的反激工作原理。
IC方案的升级，一般以更低的成本，更优化性能为前提，所以现在IC的外围是越来越简单了，以前我们做36W以上都是需要光耦817和431做反馈。原边反馈一般只做36W以内，随着IC方案的更新升级，现在也有做80W以内的原边，工作模式由单纯的DCM模式，拓展到CCM模式，至于DCM和CCM的区别，后面讲解。目前我在做启臣微的代理，所以以启臣微的方案为例子。
原理图：
1-1-1、电源上电，通过R5R6给C2充电，达到IC工作电压，GATE驱动脚输出驱动脉冲波形，Q1 MOS管导通，电流流向如下：
形成环路给变压器电感充电。因变压器的同名端反向，此时次级是不导通的，能量全部储存再变压器里，VCC绕组分压后接4脚（FB脚)，做反馈。这里就要说说IC的内部原理结构
实际原边的反馈原理和副边的反馈原理是一个道理，FB脚电压波形和IC的内部基准做比较，输出一个可变的直流电压，再和内部的三角波比较，来决定改变占空比（PWM)或者频率（PFM），达到平稳输出电压的作用。
说个题外话，一般我们都会给客户发IC的规格书，规格书你们会仔细看下吗，是否理解里面的参数所表达的意义。如果有想了解的，我后面可以解释下。
1-1-2、因为反馈的原因，IC驱动关断,MOS管也关断。次级二极管导通，变压器通过二极管给输出负载供电并给输出电容CE3充电。
1-1-3、然后回到1-1-1步骤。MOS管导通，输出二极管D11截止，又给变压器充电，此时因为二极管截止了，输出通过输出电解电容放电来保证输出的持续性，所以实际次级供电只工作了一个周期的一小部分（实际多大，主要看电源占空比），另一部分的周期由电解放电，所以为什么会有纹波电压的原因就在这里，所以需要加大电解容量来降低纹波。就不要问我为什么变压器和二极管能产生导通和截止，这个你们要把高中的知识扔回给老师吗，高中老师可要哭了。
工作原理说完了，下面我们说说参数设计和变压器设计，也是按这个原理图来选型吧。上面原理图的参数根据输出功率来改变，CR6234这个IC我调过，MOS管驱动能力不够，如果是驱动平面MOS，最大只能驱动7A65的MOS，这个就限制了电源的功率。正常7A的MOS加散热片的话，功率在36W左右（不排除有些用来做60W，实际看扇热情况）。如果是驱动COOLMOS，最大可以驱动550MR左右，也就是12A左右的COOLMOS，这样，功率就大很多了，可以做60W左右，那为什么只能驱动7A的平面MOS却能驱动12A的COOLMOS？因为COOLMOS需要的驱动能力会小点。
顺便说个小知识，COOLMOS的命名规则，耐压+内阻，基本每家的COOLMOS的都遵循了这个命名。比如说安海的COOLMOS,ASA65R550E 实际就是650V 550MR的内阻，ASA65R350E ：650V350MR的内阻，ASA80R290E:800V290MR的内阻，最近刚好有个单管正激 48V200W的项目上用到（磁吸电源）
看到内阻就大约是知道是多少A的MOS了，这平常需要看一些规格书的时候，要让自己记下来，比如 2A650V的内阻大约在4R左右，4A650V的内阻在2R左右，7A650V的MOS，内阻再1.2R左右。这些参数对于研发来说都是需要记忆的，因为晶元越小，内阻就越大，所以你知道为什么同样是4A/7A的MOS，但是价格还是有差吧，你可能认为是品牌决定，其实品牌只是占一小部分，这个差价大多来源于MOS的晶元和框架。为什么有些牌子的4A的MOS会价格低点，你剪开MOS就知道价格差在哪了。当你记得这些内阻参数，谁想忽悠你都比较难
有点扯远了，回到驱动能力的问题，以前老IC的驱动能力会在规格书里标注，现在的IC规格书已经慢慢不标注这个参数了，但是我们可以从驱动波形来看驱动能力，之前推广启达的IC时，刚好测试了CR6234的驱动波形，所以留有波形
可以看到驱动10N65的平面MOS时，驱动的上升沿明显拉长了，而且驱动波形已经畸变的很严重了，这个导致MOS开关损耗很大，效率低,MOS管发热严重。平常我们整改辐射时，比较难整30M-80M位置时，改大驱动电阻是有效果，但是还是需要注意下驱动波形，如果改的太大，驱动的上升沿太长，辐射是过了，但是MOS管发热严重，导致电源工作不稳定，并有可能有炸机的风险，那就得不偿失了。一般上升沿 1-1.2US为宜，如果还整不过，就建议改其他位置了，毕竟，改变压器绕法不香吗。
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