光芯片的分类及应用场景有哪些(光芯片的分类及应用场景图)

导语：光芯片的分类及应用场景

光器件按照其物理形态的不同，可分为芯片、光有源器件、光无源器件、光模块与子系统四大类。近年来我国光芯片取得了长足的进步，如源杰科技、武汉敏芯等在高端光芯片领域取得了明显突破。但是国产光芯片仍以中低端为主，国内已经实现10Gb/s的激光器量产，25Gb/s激光器也接近成熟，而采用PAM4技术实现带宽调制的200G以上高速率光模块所需的DSP（数字信号处理芯片）还要进口。

光芯片的分类及应用场景如下表

分类

工作波长

应用场景

优点

缺点

LED

发光二极管

1310nm

低速（ 155m ），短距（2km），多模光纤

价格便宜、线性度好、发热小、寿命长

谱线较宽，耦合效率低

VCSEL

垂直腔面发射激光器

800~900nm

速率 155m-25G；短距500m，如光纤到户、数据中心、 3D 感测应

线宽窄、功耗低、调制速率高，耦合效率最高，成本已大幅下降

线性度差，温度特性差

FP

法布里珀罗激光器

1310~1550nm

速率 155M~10G，中距40km

谱线较窄，调制速率 高，成本低

耦合效率低，线性度差，温度特性差

DFB

分布式反馈激光器

1270~1610nm

速率 2.5G~40G，长距80km

单纵模，谱线窄，调制速率高，波长稳定好

耦合效率低，成本高

EML

电吸收调制激光器

1310~1550nm

高速率、长距离

调制速率高、稳定性好

成本高

GaAs/InGaAs PIN

PN 二极管探测器

830-860/1100-1600nm

速率 155M~40G，中短距40km

噪声小、工作电压低、成本低

灵敏度低

InGaAs APD

雪崩二极管探测器

1550nm

速率 1.25G~10G，长距单模光纤

灵敏度高

成本高

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