芯片光刻技术原理(芯片光刻是什么意思)

导语：芯片制造-光刻掩模版

维纳

加工

光刻掩模版

微纳加工-光刻掩模版

光刻掩模版，别称“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”，一般使用玻璃或者石英表面覆盖带有图案的金属图形，实现对光线的遮挡或透过功能，是微电子光刻工艺中的一个工具或者板材。我们利用光罩可以实现微电子工艺中的图形传递。光刻掩模版的加工技术主要有两种：其一为激光直写技术；其二为电子束直写部分，两种技术区别在于光源不同，实现的精度有所区别。

掩模版是光刻工艺不可缺少的部件。掩模上承载有设计图形，光线透过它，把设计图形透射在光刻胶上，掩膜版的功能类似于传统照相机的“底片”。我们可以通过把图形做在掩模版上通过下一步曝光工艺（下期讲解）转移到我们的基底上，基底上有对应的相关图形了，但是通过曝光基底上还没有刻上图形，只是光刻胶有了相关图形，就像这样：

光刻胶的是一种对光敏感的材料，通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化。有可能会变容易溶解也可能变得不容易，这时候再通过显影液，不稳定的部分将会被处理掉，剩下的就是我们想要的图形。

掩模版都有哪些种类？

普通版 ：一般使用苏打玻璃或者石英，常见2寸到10寸，线宽一般在1um以上，主要用户接触式曝光机，转移图形与版图尺寸为1:1，实现同比例的图形转移。

Stepper版：一般使用石英版，常见为5寸和6寸版，线宽一般在500nm以上，主要用于Stepper曝光机台，转移图形与版图尺寸实际比例一般是4:1或者5:1，实现将版图图形缩小4~5倍之后投射于目的片上。

纳米压印版：一般用石英版，刻蚀其表面的金属形成沟槽和透光不透光的组合，尺寸一般需要5寸及以上，采用电子束直写的技术实现表面nm图形的转移，一般线宽在200~800nm左右，借助掩模版对光刻胶的压力、同时辅助紫外曝光，最终实现纳米级图形的转移。

金属掩模版：一把采用不锈钢，在不锈钢表面通过激光加工的方式，实现表面镂空的图形设计，最小线宽一般要20um，能够用于电子束蒸发、磁控溅射中，用于电极图形的转移。

如何制作一块版？

制作版的流程其实也是一套维纳加工的流程，我们可以通过常用的设计软件CAD、EDA等设计出我们的图形，通过光刻、显影、刻蚀处理，大概过程如下：

米格实验室可以为您提供常规掩模与高阶掩模设计及加工制造服务，大概加工能力如下：

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