外媒：光刻机速度太快了
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不久前，一则消息震动半导体行业——中国自主研发的光刻机速度太快了！在美技术公司和ASML公司的技术垄断之下，中国光刻机毫不畏惧，顺利突破了EUV光刻机核心技术。
这让ASML总裁倍感不安，声称“中国自研光刻机是在破坏全球半导体设备产业链”，实际上只是中国的突破逐渐开始触及到了对方的利益，外媒对此报道称：中国光刻机速度太快了！
多年来，从技术实力到市场规模，美企和ASML公司自诩为全球半导体设备行业的龙头老大，基于是唯一一个能够量产EUV光刻机的企业，形成了半导体设备市场近乎垄断地位。
而美方更是幕后黑手，建立在国家安全和主导地位的利益上，一直试图封锁中国的发展之路，要求一众美企和ASML向大陆断供产品。
面对美资本主义试图通过工业基础材料半导体掌控全球的“真面目”，中方丝毫没有退却，而是选择捍卫着全球其他国家安全，主动针对半导体领域走上自主研发的道路。
终于，在中国科学家的不断探索和努力下，这道封锁正在被持续突破，尤其是针对能够制造先进工艺制程的EUV光刻机领域。
中国自主研发的光刻机以其领先的技术水平和独特的市场布局，掌握了EUV光刻机最重要的三大核心部件技术光源、物镜和工作台。
尤其是光源，作为光刻机最重要的部分，不久前迎来了新的突破，外媒为此感慨：“中国的迅猛发展，让世界作为全球最大半导体市场的竞争格局发生了重大变化。”
2021年哈工大着手研发起DPP-EUV极紫外光源，当时预计两年内可以推出，如今正式传来消息，DPP-EUV极紫外光源研发工程已经完成。
显然，中国研发团队已经在EUV光刻机核心技术上取得了突破性进展，这也被视为中国半导体行业实现自主创新的重要标志之一。
对于中方而言，这绝对是一个好消息，但对于西方国家乃至ASML就恰恰相反了，尤其是ASML企业，建立在EUV光刻机的成就，如今才能站在市场的前列。
可中方突破了关键技术，未来可能很快就可以完成在EUV光刻机上的研发，避免出现依赖进口设备和技术的尴尬境地。
这无论是对ASML此前放话“给中国图纸也造不出光刻机”的打脸，还是令该企业失去中国市场，都将会是不小的影响。
不仅如此，在不少欧美地区企业看来，中国光刻机领先于欧美巨头的技术发展也可能会对全球半导体设备产业链造成影响，引发市场格局的变化。
ASML总裁温宁克甚至曾发声称，“中国自研的光刻机是在破坏全球半导体设备产业链”，显然表达了其对中国技术崛起所带来的巨大威胁和压力。
而ASML一直以来就致力于通过不断向中国倾销光刻机的方式，设法维持市场占有率，保证长期技术垄断的利益。
可相比于中方在自主研发的突破，别说ASML了，就算是拜登政府都无可奈何，所以温宁克只能在“国际喇叭”上刷存在感，希望欧美国家能够阻碍我国半导体设备自研的发展。
你不卖，还不让别人自己造了？很明显这种说法根本无法在国际市场上成立，纯纯“强买强卖”理论，干扰不了中方在半导体领域的发展。
建立在各大西方国家虎视眈眈的环境下，我们不能再被动等待，而是要主动出击，加大投入和研发力度，争取在短时间内取得突破性进展，尽快实现国产光刻机的产业化。
只有这样，我们才能在全球化竞争中占据更多的话语权，实现经济的独立发展，而在EUV核心技术上持续突破，正反映了中国在芯片领域实现国产突破的决心和努力。
正如老舍所说：必须保持永不低头的精神，敢于拼搏奋斗，才能在这个残酷的世界中立于不败之地。
科技自主创新，才是国家和民族强盛的根本之道。我们需要在芯片领域继续保持科技创新的高度自主性，以应对外部环境的变化，才能在竞争中立于不败之地。
相信不久的将来，中国自主研发的光刻机将成为全球市场的重要角色，推动全球半导体产业的良性发展。
总而言之，中国自主研发的光刻机所带来的迅猛发展，正处于全球半导体市场的锋芒之上，无疑将推动全球半导体产业的良性发展，让技术发展更快，市场更公正，消费者更受益。
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