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电科有哪些超级技术?

问:中国电科有哪些超级技术?

中国电子科技集团公司(以下简称中国电科)是中国的一家大型国有企业,主要从事电子信息领域的科技研发、生产制造和服务。作为中国电子信息领域的领军企业,中国电科在多个领域有着超级技术,包括:

1.发

2.量子通信技术:中国电科在量子通信技术领域处于国际领先地位,研发了世界上第一条城市级量子通信网。

3.太赫兹波技术:中国电科开发出具有自主知识产权的太赫兹波系统,该技术可以在材料检测、生物医学、安防等领域得到广泛应用。

4.智慧军营技术:中国电科开发的智慧军营系统集成了大数据、物联网、云计算等多种技术,实现了信息化、智能化、数字化的全面升级。

5.电子对抗技术:中国电科在电子对抗技术领域具有雄厚的实力,其自主研发的电子干扰系统具备高度定制化、强大的干扰能力和良好的兼容性。

以上仅是中国电科的部分超级技术,该企业在航空航天、卫星通信、智能制造、新型显示等领域也有多项创新技术。

中国电科46所取得高质量AlN单晶制备技术新突破 氮化铝(AlN)晶体属于超宽禁带半导体材料,具有诸多优异的物理性能,是新一代高性能微波功率器件及紫外光电器件的理想衬底材料。AlN单晶衬底及其相关器件一直是超宽禁带半导体领域的研究热点。 AlN晶体为六方纤锌矿结构,且具有很强的各向异性。在物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法生长过程中,不同取向生长表面的表面能及生长速率差异很大,理想工艺条件下制备的晶体轮廓通常由(00.±1)面、(10.n)面和(10.0)面等几个低指数晶面合围而成,晶体头部呈规则的六棱台形状。此外,晶体内部也不存在由小角晶界构成的“胞状结构”(cellular geometry)。这些都是高质量AlN晶体的重要特征。国内相关研究起步较晚,生长的晶锭大多为高度旋转对称的圆柱体或圆锥体,头部为弧面或锥面,这种晶锭内部通常存在较多的晶界或小角度晶界。 中国电子科技集团公司第四十六研究所(简称中国电科46所)近年来在高质量AlN籽晶培育、传热传质动态控制、长时间稳定生长等方面取得了重要突破,生长的AlN单晶结晶质量得到了大幅度提升。AlN晶体外廓由少数几个低指数晶面合围而成,晶体头部为规则的六棱台形状(见图1(a)),生长面为光滑平整的(00.1)面。原子力显微镜下的表面微观形貌观测结果显示,晶片表面的台阶流规整有序,未发现明显的台阶簇,更不存在晶界或亚晶界(见图1(b)、(c))。由图1(c)还可发现,在{10.n}面交汇处不同取向的台阶流呈120°夹角,反映出高质量的台阶流生长模式。该晶片XRD摇摆曲线五点测试结果如图2所示,其(00.2)面及(10.2)面XRD半峰全宽(full width at half maximum, FWHM)均低于100″,反映出晶体较高的结晶质量及均匀性。 width=584,height=189,dpi=110 图1高质量AlN晶体头部及其表面形貌。(a)晶体头部照片; (b)、(c)原子力显微镜下表面微观形貌 width=538,height=443,dpi=110 图2头部晶片的XRD摇摆曲线。(a)某点(00.2)面的XRD摇摆曲线;(b)某17 mm×17 mm区域(00.2)面的 XRD FWHM分布;(c)某点(10.2)面上的XRD摇摆曲线;(d)某17 mm×17 mm区域(10.2)面的XRD FWHM分布 目前,中国电科46所可以稳定制备1英寸及2英寸高质量AlN单晶衬底(见图3),同时也在积极探索更大尺寸单晶的生长工艺。 width=649,height=188,dpi=110