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电子元器件-场效应管IGBT

极性及作用

电子元器件-场效应管IGBT

场效应管极性

G: 栅极(Gate),电压控制位

D:漏极(Drain),电流流入

S:源极(Source),电流流出

场效应管的特点是由栅极电压控制其漏极电流,和普通双极型晶体管相比较,场效应管具有输入阻抗高,噪声低,动态范围大,功耗小,易于集成等特点。

外形&分类

电子元器件-场效应管IGBT

IGBT 外形,与三极管很相似

不仅外形和三极管相似,功能上也相似。

电子元器件-场效应管IGBT

场效应管 VS 三极管

命名

国产第一种命名方式(5段)

电子元器件-场效应管IGBT

国产第一种命名方式

国产第一种命名方式(4段)

电子元器件-场效应管IGBT

国产第二种命名方式

日本的命名方式

电子元器件-场效应管IGBT

日本的命名方式

电路符号

电子元器件-场效应管IGBT

场效应管的分类情况

不同分类的场效应管在电路里的符号有区别。JFET管 不区分耗尽型,增强型,均为耗尽型。

电路符号理解与记忆

电子元器件-场效应管IGBT

电路符号理解与记忆

1、箭头方向:表示PN结方向,朝管内N沟道型;朝管外P沟道型

2、栅极画法:栅极引线相连为结型;引线不相连为绝缘栅型;

3、虚线为增强型;实线为耗尽型。

分析上图的电路符号

A: 为N沟道结型场效应管

B: 为P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管

C: 为P沟道增强型绝缘栅型场效应管

D: P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管

三大类参数说明

电子元器件-场效应管IGBT

三大类参数说明

N沟道结型场效应管原理

电子元器件-场效应管IGBT

N沟道结型场效应管原理

应用电路

放大电路

电子元器件-场效应管IGBT