详解pN结原理及内电场对空穴和自由电子的影响

我是电器电，昨天我们初步讲过pN结是怎么回事？那么我们今天就来具体的讲一下pN结原理！请看下图

图中左边为p区右边为N区，p区空穴多（空穴为多子电子为少子）N区自由电子多（自由电子为多子空穴为少子）就会产生扩散运动！这时候

空穴从p到N，电子从N到p产生复合，这样在p区一侧留下带负电的杂质离子，在N区一侧留下带正电的杂质离子。杂质离子不能移动形成空间电荷区，如图所示

图中空间电荷区只是为了读者看的方便（实际不只两层）既然一面为正电一面为负电，那么根据高低电位的关系在空间电荷区内部就会产生一个内电场，电场方向（由N到p）由正指向负如图中红色箭头表示

在这里大家一定要记住这句话

内电场增强不利于多子的扩散印有利于少子的漂移。

如果你没有理解这句话那么很难说清你懂不懂电子！

当空穴和电子复合一层层推进的时候空间电荷区变宽这时候内电场增强，阻止多子扩散的运行，同时又促进了少子的漂移运动！

当多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡这时候我们把空间电荷区叫做pN结，也叫耗尽层。

图中为对称型pN结也就是说p区和N区相等当然也会有不对称型的我们以后会讲。

最后感谢大家收看！