三极管的输入特性

我是电器电，今天给大家讲解一下三极管的输入特性。对模拟电子技术而言无论是输入还是输出特性，都是学习的重点内容，对分析电路都有重要意义。请看下图

我们以3DG6硅三极管为例，用实验获得它的数据如上图示。当加于集电极与发射极之间的电压为某一定值时，基极与发射极间的电压Ube与基极电流Ib之间的关系。我们把它称之为三极管的输入特性。

我们从图中可以看到输入特性与二极管相似也有一段死区电压硅管约为0.5v，锗管约为0.2v，晶体管用于放大时Ube硅管约为0.7V，锗管约为0.3v。当集电极电压Uce增大时，特性曲线向右移动。但是当Uce≥1v时输入特性基本不变。图中1，2曲线代表的是Uce。

前面的串联稳压电路中有很多人会不理解为什么Ube减少Ib随之减少。让我们来看一下特性曲线Ube减小时的特性曲线，由右向左呈下降的趋势，从而知道Ube减小Ib必减少。

那么我们一般利用输入特性的哪根曲线呢？我以前说过模拟电路主要研究三极管的放大特性。三极管放大的条件是发射结正偏集电结反偏。在放大情况下我们利用的是Uce＝1V这根特性曲线。这样可以完全保证集电极反偏状态。

不知道大家有没有看懂，顺便提一句前篇文章中的调整管工作在饱和状态。至于为什么以后会在三极管输出特性章节中予以分析。

最后非常感谢大家的收看！