N沟道增强型场效应晶体管的结构

我是电器电！由于场效应管中它是最具代表性的所以，这篇文章来讲一下N沟道增强型场效应管的结构。如下图示

如图首先用一块P型半导体做衬底（图中在硅本征半导体中掺杂三价元素得p型半导体），然后让上面的硅氧化，在氧化后上层的硅就会变成二氧化硅绝缘层。在二氧化硅两边三分之一处各开一个窗口。我们在窗口中渗入一定的五价元素，p型半导体就会改性成N型半导体（图中N＋位置）。由于p型半导体为衬底而在两个窗口中间位置都有N型半导体的存在所以两者之间会形成耗尽层（pN结层）（图中红线部分。

在两个N＋处向外引出引线，左边我们称之为源极，右边称之为漏极。中间部位在二氧化硅绝缘层上贴了个导电的大金属极板从中引出的引线我们称之为栅极，又因为二氧化硅绝缘所以我们称之为绝缘栅，既然是绝缘栅那么大家请记住：它是永远不走电流的。那么D和S是否可以互换呢？我们再来看一下衬底p的引线B。在制做场效应管时一般会把B极和S极连接起来。如果此两极没有在内部连接那么D和S是可以互换的，接了就不能换了。B和S连接一般会接电源负极这样就增强了场效应管的抗干扰能力

我们再来看一下N沟道增强型绝缘栅场效应管的符号

G代表栅极（横线代表引线，竖线代表大极板）由于绝缘所以与其它线均不相连。中间的上下两个竖线代表不相连的两个N沟道。分别向外引出D极和S极。D极和其他极绝缘，S极和p衬底引出的B极相连，中间竖线也为N沟道，箭头朝左由p向N。

今天就讲到这里，最后感谢大家的关注！