N沟道耗尽型场效应管的结构

我是电器电！这篇文章来介绍一下N沟道耗尽型场效应管的结构。请看下图

和前面讲的N沟道增强型场效应管结构差不多，p型半导体上层氧化出SiO2绝缘层，绝缘层上开出两个窗口。在窗口中渗入五价元素。窗口内形成两个N形半导体区域这样自然会在p衬底和N区域中形成耗尽层。

与N沟道增强型场效应管不同的是在漏极D和源极S之间的二氧化硅层中预埋了阳离子（图中带点部位），这样就会把p衬底的自由电子吸引过来变为N沟道，这样就把两个N形区域连接起来。此时如把DS之间加上电源，DS之间就会有电流。如把GS反接N沟道就会变窄。直至夹断。总结起来如下：

VGs＞0时，反型层变宽，沟道电阻变小

ID增大。

ⅤGs＜0时，反型层变窄，沟道电阻变大

ID减小

VGs＝VGs（off）时反型层消失ID＝0。

由于刚开始就有沟道的存在加上反向电压慢慢变窄直至消失所以称之为耗尽层符号如下

与增强型符号相比DS之间为实线。箭头朝内称之为N沟道，p沟道箭头朝外

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