晶体管混合π等效电路及β的频率特性

我是电器电。这篇文章来介绍一下晶体管的高频等效模型。以前讲过三极管的体电阻是rbb＇请看三极管内部结构图

这里的Cu为集电结电容。Cπ为发射结电容。画出等效电路如图示

又由于rb＇c和rce较大所以可以略去，电路简化如下图：

交流ce短路电路会如图所示

通过上图就可以计算出β的频率特性

Ib＝Ⅴb＇e[（1／rb＇e）＋jω（Cπ十Cu）]

Cπ与Cu在Ce短路情况下为并联。

Ic＝gmⅤb＇e－（Vb＇ejωCb＇c）

≈gmVb＇e由于括号内数值很小所以可省略

β＝gmrb＇e／[1+jωb＇e（Cb＇e＋Cb＇C）]＝β0／（1十jf／fB）①

根据①式可画幅频特性图那分子gmrb’e＝β0呢？因为Vb＇e＝Ib×rb＇e又因为gm×Vb＇e＝β0Ib所以gm＝β／rb＇e

∴β0＝gmrb＇e

fB＝1／2πrb＇e（Cb＇e＋Cb＇c）fB是固定值。因为要做出不同三极管都需要有固定的发射结电容Cb＇e和集电结电容Cb＇c。rb＇e虽然也受静态工作点影响但整体来说还是固定的。

波特图会在下一篇文章中介绍，最后非常感谢大家的收看！