开关电源EMI经验之--传导与辐射

EMI经验之--传导

EMI的实际经验：前面保险丝电阻如果靠近变压器，传导0.5M处就比较差，远离一点就可以改善。

EMI 20M超出整改经验 ，借图一张： 解决方法如下

1.此处凭借经验：是源自变压器的干扰，比如三明治绕发此处最明显，如果换成普通绕法此处可压下去，

2.差模电感加大，也可降低此处干扰

3.差模电感可并1K贴片电阻，可降低

4.改善串在输入端的磁珠的值

5.检查肖特基RC吸收，可稍微改动参数，在效率和EMI可兼顾的情况下选择

6.加共模电感，此方法是没方法中的方法，牵扯比较大，增加成本，重新画板

7.当然最优的方法还是改动变压器，减少分布电容，以最低成本解决，可以改变绕组绕线结构，屏蔽方式下手进行。

结论：如果是做适配器给平板电脑充电，插上电脑测试EMI20M这里还会更高，这点高了会严重干扰平板触摸跳屏现象，干扰到屏幕。

先排除加Y，磁芯接地类等整体性降低法。这类方法大家都已经掌握了，不在多说，说说自己的经验方法，针对这一段的手段：

1：在这里超出，可以确定的是，源头来自变压器的漏感，所造成的VDS波形震荡严重造成的干扰，这是一点，2：变压器的初级分布电容，匝间电容影响，，，自身经验靠的就是这两点源头来解决这段超出的，可能还会有别的影响，还没发现而已，，但不妨碍我们解决这点的手段了，掌握这两点基本上这段超出是可以解决了，那就来说说如何手段好了，只说重点了：

方法：改变压器的绕线结构，以降低漏感为前提设计结构，减少初级层数，减少圈数， 具体的每种结构不一定适合你的PCB板子，需要根据PCB来适配一套合理的绕线方法，需要不断的实验，，先按照这两点来修改变压器，应该是会有所收获的，，如果实在解决不了，在考虑增加成本来修改变压器，猛增加屏蔽来降低这点的话，属于无耐之举，工艺复杂，效率影响，都是不好的。。

运用好这两点，漏感，分布电容，匝间电容 反复修改变压器，你会找到你的经验的。。这只是针对变压器的，外围元件，RCD影响颇大，具体就要自己动手去试试了。

2、EMI经验之--辐射

来一张辐射图：这是今天才测试的，来分享一下这个解决过程经验：

辐射列子（一）

这张是NG的图：

（1）

这张是整改后的图：

（2）

说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。

第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。

第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽， 180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，

磁芯要接地

这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。

辐射列子（二） 18W（5.2V3.5A)

NG图，无Y ：

(1)

看到超了这么多吓到了，无Y的， 来加个Y电容试试能下来多少。

OK图，加Y电容221：

(2)

有没有看到，Y电容的作用有多大，无Y和有Y的充电器，做这么久的充电器，发自内心的有Y的，晚上能睡好觉，无Y的又遇到成本压力的时候辐射和温升整的晚上失眠多梦。

90M还是有点高，余量虽然够，读点情况下，，还是说一下这一点为什么还是这么高，MOS的驱动电阻现在是5R的，我加大到15R的时候，这点完全下来了，余量有5DB不读点的情况下，15R效率和之前差别不大。加个1毛钱的Y 算是落幕了。