再生环场振荡器分析

图5-50所示是再生环场振荡器。电路中VT1和VT2构成正反馈开关电路，当这一电子开关处于断开状态时+V通过RP2和R8对电容C2和C3充电，当这一电子开关处于导通状态时电容C2和C3通过这一电子开关放电，在C2上形成锯齿波，如图5-50中所示。充电时是场扫描的正程，放电时是场扫描的逆程。

图5-50 再生环场振荡器

振荡过程分析

(1)直流电压+V通过R5对C1充电。接通电源后，直流电压+V经RP1、VD1、R2和R3的分压，给VT2基极提供一个电压。同时，+V通过R5对C1充电，其充电电流回路是+V→R5→C1→VD2正极→VD2负极→地。图5-51所示是电容C1充电电流回路示意图。

图5-51 电容C1 充电电流回路示意图

由于电容C1中原来无电荷，所以开始充电时电容两端的电压为0V，VT2发射极电压低于基极电压，这样VT2处于截止状态，其集电极电压约为0V，使VT1处于截止状态。

(2)直流电压+V对电容C2、C3充电期间。由于VT2截止，VD3也截止，此时+V通过RP2、R8对C2、C3充电，形成锯齿波的正程，如图5-51中所示。

随着对C1的充电，在C1上的电压增大，C1上的电压为右正左负，这样使VT2发射极电压升高。当VT2发射极电压高到一定程度时，VT2导通，其集电极有电压输出，这一电压加到了VT1基极，使VT1导通，VT1集电极电压下降，即VT2基极电压下降，使VT2基极电流更大。显然这是正反馈过程，VT1和VT2很快均饱和导通。

(3)C1放电。VT1、VT2饱和后，VT2的发射极电压为低电位。此时，由于电容C1两端的电压不能发生突变，C1左端的负电压加到VD2正极，使VD2截止，C1开始放电。其放电(也就是对C1的反向充电)电流回路是+V→R4→C1→VT2发射极→VT2基极→VT1集电极→VT1发射极→地。图5-52所示是电容C1反向充电电流回路示意图。

图5-52 电容C1 反向充电电流回路示意图

在电容C1反向充电的同时，由于VT2和VT1已经饱和导通，VT2发射极为低电位，VD3导通，C2和C3上的电压通过导通的VD3和VT1、VT2放电，得到逆程，见图5-52中的Uo波形。

随着电容C1的放电，VT2发射极电压下降，当发射极电压下降到低于基极电压时，VT2又截止，导致VT1也截止。

在两管截止后，电路恢复对电容C1充电，同时VD3也截止，对电容C2和C3的充电开始，进入第二个振荡循环。

重要提示

电路中的电阻R5的阻值远大于R4，所以对C1的充电时间长于它的放电时间。同样，对C2和C3充电电流回路的时间常数大于它放电回路的时间常数，这样使输出信号Uo的正程时间长于它的逆程时间，如图5-52中的Uo波形所示。

场频微调原理

RP1是场振荡器的振荡频率微调电阻，其调整原理是：改变RP1阻值可以改变VT2基极电压。

(1)RP1阻值增大时。VT2基极电压降低，VT2发射极上的电压不用太大，VT2就可以从截止状态转为饱和导通状态，这样对C1的充电时间可以短些，显然可以使振荡频率升高。

(2)RP1阻值减小时。VT2基极电压升高，要求VT2发射极电压更高(对C1充电时间更长)，VT2才能从截止状态转为饱和导通状态，这样振荡频率就降低了。

分析结论提示

RP1阻值大，VT1基极电压低，振荡频率高;RP1阻值小，VT1基极电压高，振荡频率低。

场同步过程

输入信号Ui是场同步信号，这是一个负极性电压，它加到VT2基极。在VT2处于截止状态时，场同步信号电压加到VT2基极，强迫VT2从截止状态提前进入饱和导通状态，实现场同步。

场幅调整电路

场锯齿波信号的幅度大小代表了场幅的大小，这是因为场锯齿波信号幅度大，使电子束的垂直方向偏转角度大，场幅大，反之则小。电路中，RP2是用来调整场幅的可变电阻。

这一电路的工作原理是：对电容C2和C3的充电时间是一定的(由VT2和VT1截止时间来控制)，这样充电电流的大小就决定了在电容上的充电电压大小。

在相同的时间内，当RP2阻值大，对C2和C3的充电电流小，使电容上的充电电压低，即锯齿波信号幅度小;反之，当RP2阻值小时，对C2和C3的充电电流大，使电容上的充电电压大，即锯齿波信号的幅度大。

这样，通过调整RP2的阻值大小，可以改变锯齿波信号幅度，从而实现调整场幅的目的。