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详解集成电路场振荡器

图5-53所示是集成电路TA7609AP内部电路中的场振荡器、场频调整等电路。

详解集成电路场振荡器

图5-53 TA7609AP内部电路中的场振荡器、场频调整等电路

场振荡过程分析

(1)对C405充电过程分析。直流+12V工作电压通过RP55、R406对C405充电。充电开始时,C405(集成电路的⑩脚)上的电压较低,该电压经内部电路中的R2加到VT3基极。因这一电压较低,VT3截止,其集电极上的高电位加到VT1基极,使VT1截止,VT1发射极上的高电平经R1加到了VT7基极,使VT7截止,VT7集电极为低电位,即此时场振荡器输出电压Uo为低电平。

VT7集电极上的低电平经R8和R10加到VT9基极,使VT9截止。在VT9截止期间,R6和VT9这一支路对C405的充电无影响。

随着对C405充电的进行,VT3基极上的电压上升(C405上充电电压极性为上正下负),当VT3的基极电压上升到一定程度后,VT3由截止转为导通,其集电极电压下降,使VT1的基极电压下降,VT1导通,其发射极电压为低电位,该电压经R1加到VT7基极,使VT7导通,其集电极输出高电平,即场振荡器此时输出高电平,见图5-53中波形。

(2)C405放电过程分析。在VT7导通后,其集电极输出的高电平经R8和R10加到VT9基极,使VT9由截止状态转为饱和导通状态。VT9集电极与发射极之间内阻很小。这时电容C405上的充电电压通过集成电路的⑩脚、R6和导通的VT9集电极与发射极之间的内阻放电。图5-54所示是C405放电电流回路示意图,因这一放电电流回路的时间常数很小,放电很快完成。

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图5-54 C405 放电电流回路示意图

C405的放电使VT3基极电压下降,当VT3的基极电压下降到一定程度后,VT3从导通状态转为截止状态,直流+12V电压再次开始对电容C405进行充电,场振荡器进入第二个周期的振荡过程。

电容C405充电期间为场扫描的正程,C405放电期间为场扫描的逆程。

场同步控制过程分析

场同步信号从集成电路的12脚输入,由R7加到VT8基极。当正尖脉冲场同步信号出现时,VT8导通,VT8集电极为低电平,其集电极上的低电平经R9加到VT6基极,使VT6截止。

VT6截止后,集成电路内部电路中的直流工作电压+V经R3和R5分压后的电压,由R4加到VT4基极,使VT4导通。

集成电路内部电路中,VT3和VT4构成差分电路。由于VT4导通,VT3电流减小,使VT3提前由导通转为截止,VT3截止后其集电极变为高电平,导致VT1截止,使VT7截止,又使VT9截止,C405放电提前结束而进入第二个周期的振荡,这样场振荡器的振荡周期缩短。场振荡器的振荡频率升高,强迫场振荡器的振荡频率等于12脚输入的场同步信号的频率,实现场同步。

重要提示

从上述场同步分析过程可知,为了能够使场同步信号对场振荡器的振荡进行同步,要求场振荡器的自由振荡周期(不加场同步信号时的振荡周期)略大于场周期,也就是场频略低,场同步信号才能实现对场振荡器的同步控制。

场频调整分析

集成电路外部电路中,RP55为场频调整电阻,它串在电容C405的充电电流回路中,改变RP55的阻值大小,可以改变充电电流回路的时间常数,即可以改变对电容C405充电的快慢。

RP55阻值调整到较小时,C405充电电流回路时间常数小,这样对C405的充电快,使VT3基极电压很快达到了导通值,场扫描正程结束,场频高。

RP55阻值较大时,对C405的充电慢,需要更长时间才能使VT3基极电压达到导通值,这样场扫描正程时间加长,场频变低。

图5-55所示是场频调整原理示意图。RP55阻值小,C405充电电流回路的时间常数τ小,振荡周期短,场频高;反之,充电电流回路的时间常数τ大,振荡周期长,场频低。通过调整RP55的阻值,可以对场振荡器的振荡频率进行调整。

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图5-55 场频调整原理示意图

调节RP55阻值,使场振荡频率略低于50Hz,以使场同步信号能够对场振荡器进行同步。使用中,调整场同步时就是让场振荡器的振荡频率略低于场频,以进入可同步的频率范围内。