分享2种地址锁存法

地址锁存概述

由于51单片机的P0口是地址和数据复用，所以如果要想利用P0口的地址进行译码，就必须对P0口的地址输出进行暂时锁存，以便在后面时序中进行利用。目前，根据51单片机的时序特性，在进行地址锁存时一般可以采用两种地址锁存方案：高电平地址锁存法和下降沿地址锁存法，需要说明的是，这里所述的“高电平”和“下降沿”两个概念是针对51单片机的ALE端信号而言。下面结合具体的电路详细介绍。

1. 高电平地址锁存法

高电平地址锁存法中选用74LS373或者74LS573芯片，以74LS573为例，其真值表如表4-5所示。

表4-5　74LS573真值表

由真值表不难看出，这个芯片的特点是在输出控制端OE有效(低电平)的前提下，当锁存端LE为高电平时，输出端Q随着输入端D变化，而当LE为低电平时，输出端Q保持上一次的输入端数据，这样的逻辑正好符合有关单片机ALE端信号的变化情况，即ALE端为高电平时，单片机P0口的低8位地址信号输出到74LS573的输入端，而输出端跟随变化，一旦ALE变为低电平，74LS573便不再跟随单片机的P0口地址变化，因为这时(应该是过一会儿)P0口马上就要输出8位“数据”了，这样便完成了单片机低8位地址的锁存。如图4-21所示为单片机的高电平地址锁存法接线图。

图4-21　单片机的高电平地址锁存法接线图

2. 下降沿地址锁存法

下降沿地址锁存法在实际设计中并不是很常见，但是这里仍做一个简单的介绍，目的是让读者开拓思路，了解问题的实质。在这种方法中选用74LS374或者74LS574芯片，以74LS374为例，其真值表如表4-6所示。

表4-6　74LS374真值表

由真值表不难看出，这个芯片的特点是在输出控制端

有效(低电平)的前提下，当锁存端LE输入上升沿信号时，输入端D的信号才能送到输出端Q，而当LE为非上升沿时，输出端Q保持上一次的输入端数据，这样的逻辑正好符合我们在第一节分析的有关单片机ALE端信号的变化情况，即ALE端为高电平时，单片机P0口的低8位地址信号输出到74LS374的输入端，但是输出端不跟随输入端变化，一旦ALE信号变为低电平，这样便瞬间产生了一个下降沿，但是74LS374需要的是一个上升沿信号才能将数据从输入端传进输出端，为此，必须在ALE与CLK端进行反相。这样，在单片机整个读写数据的过程中，74LS374的输出端，也就是锁存的单片机的低8位地址就不再变化了，因为ALE端信号在一次读写过程中是始终保持低电平的，不会再次产生下降沿，也就不会再次更新74LS374的输出端，也同样完成了单片机低8位地址的锁存。如图4-22所示为单片机的下降沿地址锁存法接线图。

图4-22　单片机的下降沿地址锁存法接线图