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高精简、低成本65W GaN快充方案

高精简、低成本65W GaN快充方案RM6601SN+RM3410T

1.方案介绍

高精简、低成本65W GaN快充方案

亚成微基于CCM/QR反激控制芯片RM6601SN+高性能同步整流芯片RM3410T的高精简低成本65W GaN快充方案,具有体积小、效率高(效率Max >93%)、待机功耗低(功耗<60mW)、成本低等特点,采用专有驱动技术,直驱E-MODE GaN功率器件,省去外置驱动器件,并通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合,实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局,有效的提高了产品效率及功率密度,帮助快充电源厂商加速大功率快充量产并节省物料成本。

2.方案特点

■ 输出规格:5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A;

■ 效率(Max)>93%,待机功耗<60mW,满足六级能效标准,EMI特性优良;

■ 采用专有驱动技术,直驱E-MODE GaN功率器件,提高产品效率及功率密度,简化EMI滤波电路设计,降低EMI器件成本;

■ 支持CCM/QR混合模式;

■ 支持最大140KHz工作频率;

■ 内置700V高压启动,集成X-CAP放电功能;

■ 低启动电流和低工作电流设计;

■ 内置特有抖频技术改善EMI;

■ Burst Mode去噪音;

■ 集成斜坡补偿及高低压补偿功能;

■ 集成AC输入Brown out/in功能;

■ 外置OVP保护,具有输出肖特基短路保护/CS短路保护;

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。

高精简、低成本65W GaN快充方案

3.方案原理图

高精简、低成本65W GaN快充方案

4.方案BOM

高精简、低成本65W GaN快充方案

5.待机功耗

高精简、低成本65W GaN快充方案

6.能效测试5V/3A能效测试

高精简、低成本65W GaN快充方案

9V/3A能效测试

高精简、低成本65W GaN快充方案

12V/3A能效测试

高精简、低成本65W GaN快充方案

15V/3A能效测试

高精简、低成本65W GaN快充方案

20V/3.25A能效测试

高精简、低成本65W GaN快充方案

7.老化及温升测试

高精简、低成本65W GaN快充方案

8.EMI测试

20V/3.25A(L)测试结果

高精简、低成本65W GaN快充方案

20V/3.25A(N)测试结果

高精简、低成本65W GaN快充方案

20V/3.25A(N)测试结果

高精简、低成本65W GaN快充方案

20V/3.25A(L)测试结果

高精简、低成本65W GaN快充方案

20V/3.25A(H)测试结果

高精简、低成本65W GaN快充方案

20V/3.25A(V)测试结果

高精简、低成本65W GaN快充方案

20V/3.25A(V)测试结果

高精简、低成本65W GaN快充方案

20V/3.25A(H)测试结果

高精简、低成本65W GaN快充方案