PN结电容效应

PN结扩散电容

PN结处于正向偏置时，多数载流子在回路中形成较大的正向电流，实际上，当多数载流子扩散运动时，并不会在耗尽区全部复合，而是有很多穿过PN结，在对方区域的PN结附近有一定的累积，例如P区的空穴向N区扩散，穿过PN结后，在刚进入N区时，与自由电子复合几率较小，浓度较高，随着空穴在N区中继续移动，复合几率增加，浓度逐渐减小，所以剩余空穴在N区浓度变化如曲线所示，这种在N区剩余的空穴，可视为在PN结N区一侧存储电荷，就好像平板电容器一侧的电极充了电荷，N区的自由电子扩散到P区也有类似的效果。这种等效电容称为扩散电容，存储电荷量的多少，除了与掺杂浓度有关外，还与PN结所加的正向电压有关。

PN结势垒电容

当PN结处于方向偏置时，外加电压变化，会引起耗尽区厚薄变化,意味着PN结内存储电荷的变化，类似与平板电容器两电极上电荷的变化，这时PN结呈现的电容效应称为势垒电容，规格书中的电容一般是势垒电容。