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晶体三极管_结构及放大原理

晶体三极管又称晶体管、双极型晶体管;

在晶体管中有两类不同的载流子参与导电。

一、晶体管的结构和类型

晶体管的结构

在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就形成三极管。

晶体三极管_结构及放大原理

2.晶体管的类型

基极为P的称为NPN型,基极为N的称为PNP型。

晶体三极管_结构及放大原理

二、晶体管的电流放大作用

晶体管的放大状态的外部条件:发射结正偏且集电结反偏。

发射结正偏:发射区的载流子可以扩散到基区

集电结反偏:基区的非平衡少子(从发射区扩散到基区的载流子)可以漂移到集电区。

如果发射结正偏,集电结也正偏,出现的情况将是发射区的载流子扩散到基区,同时集电区的载流子也漂移到基区。

晶体三极管_结构及放大原理

1.晶体管内部载流子运动

晶体三极管_结构及放大原理

①发射结正偏:发射区载流子向基区扩散,基区空穴向发射区漂移

晶体三极管_结构及放大原理

②集电极反偏,非平衡少子运动:从发射区过来的载流子到达基区后,称为非平衡少子(基区是P带正电,载流子是电子,所以是非平衡少子;基区空穴虽然是多子,但是数量比较少),一方面与基区的空穴复合(少量);另一方面,由于集电极反偏,会产生非平衡少子的漂移运动,非平衡少子从基区漂移到集电极,从而产生漂移电流。由于集电极面积非常大,所以可以产生比较大的漂移电流(到达基区的载流子,由于集电极反偏,所以对基区的非平衡少子有吸引,集电极带正电,非平衡少子带负电)

晶体三极管_结构及放大原理

③集电极反偏,少子漂移电流:由于集电结反偏,处于基区的少子(电子)会漂移运到到集电区;集电区的少子(空穴)会漂移运动到基区

晶体三极管_结构及放大原理

2.晶体管中的电流分关系

晶体三极管_结构及放大原理

三、共射电路放大系数

直流放大系数:放大系数:Ic=(1+β)IB

晶体三极管_结构及放大原理

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2.交流放大系数:直流电流放大系数可以代替交流电流放大系数

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