为什么功率MOS会存在GDS三个极同时击穿

过大的电压瞬态会穿透薄栅源氧化层，造成永久性损坏。不幸的是，这种瞬态在电源开关电路中产生，并且可以耦合到敏感的 MOSFET 栅极输入端。强烈建议设计人员仔细查看栅极驱动波形，以确保不存在超出器件限制的正负瞬态（功率 MOSFET 通常为 +/-20 V，但应在数据手册上确认）

在栅极驱动的导通或关断操作期间，当器件从导通状态转换至关断状态时会产生高 dVDS/dt，反之亦然。考虑到栅极、源极和漏极引线中存在寄生电感，以及 MOSFET CGD（米勒电容），可以理解的是，这些寄生参数的组合会在栅极和源极之间产生瞬态电压。幸运的是，栅极电容 CGS 可以减轻这种影响。

CGS/CGD 的比率必须尽可能高，以尽量减少漏源电压耦合。优化 PCB 布局以尽可能减少寄生电感也很重要。在某些情况下，设计人员会添加小栅源电容来帮助减少这些尖峰，尽管这也会减缓 MOSFET 的开关速度。

CGS 和 CGD 值取决于电压，因此通常不会直接引用 MOSFET 数据表中的值。更方便的是查看相关的电荷值QGD 和 QGS。电荷比通常表示为：QGD/QGS 或 QGD/QGS(TH)，较低的值意味着器件不太容易受到通过 CGD 耦合的感应导通的影响。