中低压MOSFET选型介绍

MOS选型关系到产品在应用中的稳定性及适用性，目前电源类产品当中，有注重质量的高端设备，也有附价值较低的产品，不同的产品对成本有着不同的要求，今天我们来聊聊中低压MOSFET的具体选型，详细步骤如下：

1. 电压选型，MOS管的最小BV应满足

桥式（半桥、全桥、三相全桥）、BUCK、双管正激反激：大于最大输入电压

BOOST：大于输出电压

推挽：大于最大输入电压的2倍

单管正激：和复位方式有关

单管反激：UI+UO*N1/N2

注意事项：

应考虑极端情况下的电压尖峰：比如启动、浪涌、空载、重载、过流、短路等

应考虑低温下MOS管BV的下降

Drain-source breakdown voltage

2. 电流选型，MOS管的最小ID应考虑：

MOS管表面的最高温度，根据损耗计算最高结温

MOS管最大平均工作电流

MOS管在极端环境下使用的峰值电流，如过流短路，满载启动等

MOS管的封装电流

3.Vth选型

10-15V驱动供电：Vth=2-4V ,Vth=3-5V;

5V驱动供电：Vth=1-3V ；

2.7-3.3V驱动供电：Vth=0.7-1.5V 。

4. 沟道极性/封装

5. PD选型

RDSON损耗(随结温变化）

ON/OFF损耗

安全区域曲线

动态热阻曲线