导致mos管失效的6大原因

雪崩失效

电压失效

MOS管工作时，VDS电压长时间超过MOS管的标称电压后，导致MOS管失效的现象叫雪崩失效，也叫电压击穿

预防办法

MOS管选型时，耐压要留足的余量

加吸收电路，吸收过高的VDS尖峰

PCB布线时，尽量缩短，减小寄生电感

选择合理的驱动电阻，兼顾开关速度

SOA失效

属于电流失效的范围

高电压和大电流同时加在MOS管上面，导致MOS管表面温度瞬间升高，超出了MOS管正常工作的 温度范围（150度），导致MOS管内部结构损 坏。

预防办法

选型时，提高电流余量尽量选用封装体积大的MOS管MOS管尽量加散热器，改善散热条件，降低器件的工作温度。

产品设计时，需要注意过流和过载环路的反应时间，避免反应超时导致SOA失效。

体二极管失效

在半桥全桥，同步整流电路中会存在MOS管的体二极管恢复问题，如果恢复时间过长，会导致M OS管失效。

预防办法

选用恢复时间较小的MOS管

优化设计电路

静电失效

MOS管栅极由一层极薄的二氧化硅薄膜构成，很容易因静电引起的栅极高压而击穿

预防办法

制程中注意静电防控，作业人员要带静电环，相关设备需要接地。

MOS管运输储藏过程，需要用防静电袋。

栅极电压失效

MOS管的栅极电压范围一般是正负20v、或者正负30v，超出后极易导致MOS管栅极损坏。

预防办法

建议在设计时加稳压管

在有栅极驱动变压器驱动的电路中需要注意驱动电压的变化，以防超出MOS管栅极的安全工作电 压范围。

谐振失效

谐振即为自激震荡，可以导致MOS管工作频率很高。

预防办法

PCB布线时，走线需要尽量短，尤其是MOS管驱动信号线。

驱动回路中串联电阻，以增大阻尼。