黑，那个PMOS，开慢点

软启动的主要作用在于消除刚上电时刻产生的浪涌电流，避免电压跌落。今天来讲下关于PMOS的软启动我们如何设计。

如上图，一般我们都会在使能信号（此处是PEN）到达V73时的G极前，会加上RC作延迟，让NMOS V73开的慢点，以达到让PMOS V74开关缓慢打开。我们来看看有没有效果。可以看看下图。

红色的时GEN_3V3,黄色的是VSNVS_3V3,由测试的波形可以看出，我们设计的RC 电路并不能让开关缓慢打开，由此导致了VSNVS_3V3的跌落，这本来就是要避免的问题。于是我尝试了

1. 在V73的DS极加1uF电容，（V74的G极跟地之间接）

2. 在V74的Gs极加1uF电容

3. 在V74的Gd极加1uF电容

结果都和前面一样的波形。后面我想了下，其实这些方法并没由让V74打开变得缓慢。因为V73在打开的瞬间，V74的G极已经被拉到地了。V74,也因此快速打开了。

所以进一步修改电路变成下图

这样V73打开的瞬间，C1还是3.3V。然后通过R2放电，V74的G电压，即C1上的电压缓慢变化。效果非常好。