LDO的噪声是怎样的产生的，你知道吗？

LDO的噪声分为LDO内部的噪声和LDO外部的噪声。LDO内部的噪声来自于内部电路的带隙基准源（bandgap reference）、放大器以及晶体管。LDO外部的噪声来自于输入。在LDO的手册中，PSRR（Power Supply Rejection Ratio/PowerSupply Ripple Rejection）是表征LDO抑制外部噪声的能力，但PSRR高并不代表LDO内部噪声小。LDO的总输出噪声才是表征LDO内部噪声抑制的参数，一般在电气特性表里用单位μVRMS表示，或者在噪声频谱密度图上表示。

内部噪声源包括带隙基准源产生的噪声VN(REF)，误差放大器产生的噪声VN(AMP)，FET产生的噪声VN(FET)以及反馈电阻产生的噪声VN(R1)和VN(R2)。在大多数情况下，由于带隙基准源电路是由很多不同的电阻、晶体管和电容组成，它所产生的噪声会远远大于反馈电阻产生的噪声。而且带隙基准源是误差放大器的输入，它所产生的噪声也会经由误差放大器放大来控制FET，所以误差放大器本身以及FET所产生的噪声也会比带隙基准源的噪声要低。可以说，LDO内部最大的噪声源就是带隙基准源。