DDR内存插槽及测试点

DDR内存插槽及测试点

一、实物图

上图就是DDR内存插槽实物图

二、测试点

DDR内存插槽测试点：2个供电、6个时钟、6个信号测试点

VCC=2.5V,1.25V：供电测试点

CLK0、CLK1、CLK2、CLK3、CLK4、CLK5:时钟测试点，频率266/333/400MHZ，电压1.1V-1.6V，如果主板有两块时钟芯片，内存时钟由靠近内存的时钟芯片提供；如果只有一个时钟芯片，内存的时钟由北桥提供

6个信号测试点：

CAS：列选信号

RAS：行选信号

WE：允许信号（高电平允许读，低电平允许写）

CS：片选信号

SCL：串行时钟，SDA：串行数据，由南桥提供3.3V电压

D58、D56、D18等：是数据线，对地打阻值正常值300-800