高压二极管的正向电阻和反向电阻

正向电阻是二极管正向导通后正-负极之间的电阻，这一电阻很小。反向电阻是二极管处于反向偏置而未击穿 电阻，这一电阻值很大。正、反向电阻值的大小是相对的，即：反向电阻值远远大于正向电阻值，反向电阻越大越好。

高压二极管的正向电阻即是正向压降。正向压降是指在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。更多的人则了解PN结的伏安特性，即PN结压降与正向电流关系呈对数关系，如果说1mA时为0.6V, 10mA时为0.7V, 那么100mA， 1000mA 将可能对应0.82V及0.95V左右。实际上，以上关系只在小电流下成立，当电流较大时则要考虑二极管电阻分量的压降了，我们目前知道，二极管除了具有PN结，还具有半导体材料的体电阻，封装绑定线的电阻及引脚的电阻，由于电阻的分压，随着电流的增大二极管压降也会增大，这些电阻分量在几百mA至几A的情况下，压降是很明显的，可以认为，在小电流时主要由伏安特性决定压降，而大电流时则主要由体电阻决定压降。二极管伏安特性曲线伏安特性曲线某一个金属导体，在温度没有显著变化时，电阻是不变的，它的伏安特性曲线是通过坐标原点的直线，具有这种伏安特性的电学元件叫做线性元件。因为温度可以决定电阻的大小。欧姆定律是个实验定律，实验中用的都是金属导体。这个结论对其它导体是否适用，仍然需要实验的检验。实验表明，除金属外，欧姆定律对电解质溶液也适用，但对气态导体（如日光灯管、霓虹灯管中的气体）和半导体元件并不适用。也就是说，在这些情况下电流与电压不成正比，这类电学元件叫做非线性元件。二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：

正向特性：u>0的部分称为正向特性。反向特性：u<0的部分称为反向特性。反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300m左右。硅材料二极管的电阻值为5kΩ左右，反向电阻值为（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。说明下, 其实也不是绝对的无穷大，还是有一定数值的。如果真正的是无穷大,那么这个二极管断路了。电子技术里面运用二极管就是利用了二极管的特征，就是具有单向导电性，正向电阻越小，导电能力越好，反向电阻越大，导电能力越弱，故电流能通过时称正向，不能通过时称反向。电阻是导体对电流的阻碍作用，电阻越大，阻碍作用越大故电流越小即导电能力越弱。二极管要求的就单向导电性，所以要求反向电阻越大越好。