手把手教你测IGBT内部电容
目前，IGBT技术正全面快速的更新换代，IGBT器件也在各个领域广泛应用，为了进一步了解IGBT特性，从而满足器件性能、参数的进一步提升和优化，对IGBT内部结电容的准确测量也是非常必要的。
一、IGBT内部结电容有哪些
由于设计结构，IGBT内部存在许多寄生电容，这些等效电容可以简化为IGBT各级之间的电容：
1、输入电容Cies：Cies=CGC+CGE
当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断，因此主要影响器件的开关速度、开关损耗。
2、输出电容Coes：Coes=CGC+CCE
主要影响器件VCE的变化，限制开关转换过程中的dv/dt。Coes造成的损耗一般可以被忽略。
3、反向传输电容Cres：Cres=CGC
也常叫米勒电容，主要影响器件栅极电压VGE和VCE的耦合关系。
二、IGBT开启过程中电容如何充电
第一阶段：施加的栅极电流对CGE充电，栅压VGE上升，至阈值电压VGE(th)。过程中集电极和发射极之间电压是无变化的，ICE为零。这段时间称为死区时间。
第二阶段：栅极电流对CGE和CGC充电，IGBT的集电极电流ICE开始增加，并达到最大负载电流IC，由于存在二极管的反向恢复电流，这个过程与MOSFET的开启有所不同。栅压VGE达到米勒平台电压。
第三阶段：栅极电流继续对CGE和CGC充电，此时栅压VGE保持不变，但是VCE开始快速下降。
第四阶段：栅极电流继续对CGE和CGC充电，VCE缓慢下降成稳态电压，米勒电容随着VCE的减小而增大。此时栅压VGE仍保持在米勒平台上。
第五阶段：栅极电流继续对CGE充电，栅压VGE开始增大，IGBT完全开启。
其中，第三、四阶段栅极出现一个恒定的电压，这种现象叫作米勒平台或米勒电压。这段时间，栅极的充电过程是由CGC决定的。VCE不断降低，电流IGC通过CGC给栅极放电，这部分电流需要驱动电流IDirver来补偿。
三、IGBT电容如何测试
1、测试设备
keysight B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪、N1272A和N1273A组件。
Keysight B1505A是一个功能强大的测量和表征工具，通过连接N1272A和N1273A组件，能够完成IGBT器件CV测试。
2、测试频率的选择
由于测试电路中必然存在杂散电感和电容，如果将测试电路简化为一个RCL串联电路，那么稳态时，电压和电流的关系为
，化简即：
。
在模块封装和测试电路中，电感L的数量级一般为nH级，器件结电容C的数量级一般为nF级，当测试选择f=1MHz时，
是
的10^3-10^6倍，L可忽略，只侧重电容C的值。
3、测试过程与结果
在完成设备自身的电容校准和补偿后，B1505A可以生成一个电容校准文件。测试时，调用此文件进行设备配置，可完成高精度的测量。
①输入电容Cies
IGBT器件与设备正确连接后，根据测试条件，将VGS设置为0V，频率设置为1MHz，调整VCE电压扫描范围，开始测试。测试完后可得到VCE-Cies曲线，在曲线中某一VCE值对应的纵坐标即为Cies。下图分别为测试电路和测试图：
由于Cies=CGC+CGE，为了消除CCE的影响，器件结电容C的数量级一般为nF级，在CE两端并联一个1uF的电容，那么CCE和此电容并联所得的电容约为1uF，屏蔽了CCE。并联后的电容又与CGC串联，1uF的电容又被CGC屏蔽了。输入电容即为CGC和CGE并联所得。
其中，电路中GE间的电阻（100kΩ）作用是虚短路，防止IGBT状态的不稳定。CE间的电阻（100kΩ）利用高阻抗性，避免电源部分对电路测量的影响。GE间的电容（100nF）是为了隔绝直流电压直接加在设备上。
②同理，输出电容Coes
由于Coes=CGC+CCE，考虑如何消除CGE的影响。直接使C极和E极短路，则CGC与CCE并联，所得的电容值为Coes。
其中，GE和CE间的电容均为100nF，GE和CE间的电阻均为100kΩ。
③反向恢复电容Cres
其中，GE和CE间的电容均为100nF，GE和CE间的电阻均为100kΩ。
将三条电容曲线放在一张图中，则可得到下图：
可以看出，IGBT的结电容随着VCE的增大而逐渐减小，此现象尤其在低电压0~5V时比较明显。
一般认为，栅极通过氧化层与其它层之间的等效电容不随电压的变化而变化（包括栅极与芯片金属层之间的C1，栅极与N-区之间的C2，栅极和P沟道之间的C3，以及栅极与N+发射区之间的C4）。
半导体内部其他电容是空间电荷区作用的结果，会随着电压的变化而变化（包括半导体材料上表面与N-区之间的C5，与P沟道之间的C6，以及P沟道和N-区之间的C7）。这些电容可等效为电压控制的平面电容器。根据下式，
其中，A为电容器的表面积（cm2）;d为空间电荷区的宽度（cm），C为电容（F）。
所以电容与电压的大小和载流子的浓度有关，随着VCE的增大，pn结不断耗尽，耗尽层越来越宽，相当于宽度d变大，反应到电容上就是呈现逐渐减小的趋势。