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p结电容效应影响(p结电容效应的应用)

PN结电容效应

PN结扩散电容

PN结处于正向偏置时,多数载流子在回路中形成较大的正向电流,实际上,当多数载流子扩散运动时,并不会在耗尽区全部复合,而是有很多穿过PN结,在对方区域的PN结附近有一定的累积,例如P区的空穴向N区扩散,穿过PN结后,在刚进入N区时,与自由电子复合几率较小,浓度较高,随着空穴在N区中继续移动,复合几率增加,浓度逐渐减小,所以剩余空穴在N区浓度变化如曲线所示,这种在N区剩余的空穴,可视为在PN结N区一侧存储电荷,就好像平板电容器一侧的电极充了电荷,N区的自由电子扩散到P区也有类似的效果。这种等效电容称为扩散电容,存储电荷量的多少,除了与掺杂浓度有关外,还与PN结所加的正向电压有关。

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PN结势垒电容

当PN结处于方向偏置时,外加电压变化,会引起耗尽区厚薄变化,意味着PN结内存储电荷的变化,类似与平板电容器两电极上电荷的变化,这时PN结呈现的电容效应称为势垒电容,规格书中的电容一般是势垒电容。

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