mos管是什么沟道(mos管电路)

电子元器件——NMOS管的工作原理 （N沟道）

negative 英 [ˈneɡətɪv] 消极的;负的;

positive 英 [ˈpɒzətɪv] adj. 阳性的;正数的;正电的

MOS管的半导体结构

N型半导体

Si原子最外层4个电子 ，P原子最外层5个电子

此时磷原子最外层多出来一个自由电子，带负电荷。

自由电子带负电，所以我们叫他N型半导体。

P型半导体

硼原子最外层有3个电子

此时硼原子最外层少了一个电子

产生空穴，空穴对外吸引电子对外显正电。

二极管

N极电子磷原子多一个电子，P极硼原子少一个电子。

电流方向和电子运动方向相反。

MOS管

他们之间形成2个二极管，一个导通 一个截止。

绝缘栅加电后可以把P型半导体中的电子吸引过来，当吸引电子足够多时形成N沟道。

MOS管的两个特性 （NPN）

1、高阻抗

由于有绝缘侧层的存在，输入电阻可以达到上亿欧姆。电流可以忽略不计，这样的功耗可以忽略不计。

2、绝缘侧被击穿

无法形成N沟道，源极（source）和栅极（gate）之间导通

P沟道MOS管（PNP）？？？

温馨提示：通过以上关于电子元器件——NMOS管的工作原理 （N沟道）内容介绍后，相信大家有新的了解，更希望可以对你有所帮助。