htcc与ltcc区别(htctcl)

导语：HTCC和LTCC的区别

低温共烧陶瓷（LTCC）和高温共烧陶瓷（HTCC）工艺流程相似，不同点在于二者的材料和烧结温度。

01 陶瓷基板

陶瓷基板，又称基片，是以电子陶瓷为基底，对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。基片是所有厚膜电路印刷的基础，它提供机械支撑和电气绝缘，并参与散热。陶瓷基片内玻璃的含量决定了该类基片的性能和用途。HTCC陶瓷基片含有85%~95%的氧化铝，而LTCC陶瓷基片含有40%~60%的氧化铝。

图 陶瓷基板工艺流程

02 导体浆料

导体浆料即电子浆料，用于基板的金属化，制备导体浆料需将金属粉、玻璃粉或陶瓷粉末分散于有机载体中后混合均匀，使粉料均匀地分散在载体中。浆料一般要反复地研磨，直至获得符合要求的分散体。HTCC基板在烧结过程中的温度较高，所采用的金属是用钨、钼、锰等难熔金属材料作为导体浆料的金属粉这些材料电导率低，会造成信号延迟等缺陷，所以不适合做高速或高频微组装电路的基板；而LTCC基板可以使用低熔点的高电导率金属制作导体浆料，如铜、镍、银、钯银合金等。

03 烧结温度

HTCC工艺的烧结温度在1650℃左右；而LTCC烧结温度在850℃左右。排胶时间和烧结曲线都与生瓷的粘合剂有关。不论是高温烧结还是低温烧结，都必须严格控制烧结的升温时间。对于HTCC，要得到密度高和机械、电气性能好的高温陶瓷基板，就需要控制好升温速度，使残留的碳有足够时间进行氧化和排除。对于LTCC，烧结时升温速度过快，会导致基板的平整度差和收缩率大。

图 HTCC & LTCC烧结温度曲线

04 环境气氛

钨、钼、镍和锰属于贱金属，原料成本相对较低，然而HTCC的烧结温度非常的高，这些材料在高温下极易氧化，为了防止导带氧化，必须采用湿氢气氛，以保护基板上的金属化材料和烧结炉的加热元件不被氧化。而LTCC的导带浆料用的是电阻率低的金、银、铜等，可在空气中进行烧结，由于铜在氧气中容易氧化，所以多数情况下在氮气条件下进行烧结，考虑到排胶情况，经常混合气体对生瓷胚体进行加工。

05 一体化封装

HTCC的一体化封装一般是基片与封装管壳烧结或焊接而成，而LTCC的一体化封装是将基片烧结好后，通过钎焊粘接而成。

图 陶瓷封装类型

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