气相二氧化硅表面处理方法(气相二氧化硅974)

导语：气相二氧化硅与CMP化学机械抛光不能说的秘密（一）

CMP是由化学和机械作用协同进行的平坦化过程，优先除去表面上的凹凸部位，使之成为高低落差一致的表面，可以有效地获得超光滑表面，其抛光工艺已在微纳米量级，是一种成熟的加工工艺。

下图为CMP工作示意图：首先将待抛光材料固定在载样盘上，并且安装抛光垫。抛光盘和待抛光材料均以其自身的对称轴旋转。另外，将抛光液运送到抛光垫上面。通过抛光液和待抛光材料之间的化学反应、磨粒和待抛光材料之间的机械作用，使得材料去除并获得表面全局平坦化。

CMP仪器主要通过抛光盘、抛光垫、抛光液等组成。其中，抛光垫与抛光液占据绝对主要因素。

1.抛光垫

在CMP中，抛光垫是一种重要的损耗品，一般情况下，该垫是拥有适当机械性质和多孔吸水性质的材料。它是储存、输送抛光液的关键部件，在一定程度上对工件进行机械研磨，并起到运输抛光残渣的作用。

本文内容由小鸣整理编辑！