固态硬盘技术与晶体管的关系(固态硬盘技术与晶体管的区别)

导语：固态硬盘技术与晶体管

1.少数载流子指自由电子，多数载流子指空穴。

2.固态硬盘中使用的是FGMOS 浮动门场效应晶体管。

3.N型半导体和P型半导体都是显示电中性，因为它们的电子数和质子数一致。N和P代表在它们内部移动的电荷。在N型半导体材料中，是带负电荷的电子在移动；在P型半导体材料中，是带正电荷的空穴在移动，但是它们都是中性的。

4.在硅中掺杂低浓度的硼B形成P型半导体，在硅中掺杂重浓度的磷P形成N型半导体。

5.增强型 N沟道MOSFET当给栅极正电压的时候，栅极接电源正极，P型半导体接电源负极时，它们会和栅极下面的二氧化硅绝缘层形成一个电容器，绝缘层为电容器的金属板，栅极和P型半导体形成一个电容器。电容器会形成电场，电场方向是从正电势指向负电势，就是从栅极指向P型半导体。在电场的作用下，电子方向逆着电场方向流动。空穴，也就是带有正电荷的载流子顺着电场方向运动。

6.在P型半导体中，空穴是多子，本征激发的自由电子是少子。

在N型半导体中，自由电子是多子，本征激发的空穴是少子。

7.N型场效应管，G极相当于D漏极和S源极都是相互绝缘的。栅极G相对于D极和S极来说就是一个电容器。需要对G极也就是栅极进行充电，线路才能导通。

8.NAND flash的栅层，分成栅极G、阻挡层、浮栅、隧穿层。是一个带有浮动栅的N沟道场效应晶体管。

9.N沟道MOS金属氧化物半导体场效应晶体管在栅极G施加很小的正向电压时，沟道靠近介质层一侧的多子空穴被排斥后形成耗尽层，因为没有自由流动的载流子，此时沟道处于关闭状态。当正向电压继续加大，电子逐渐被吸引到沟道靠近介质层一侧，形成反型层。这时，载流子的浓度足够大了，当在源极S和漏极D之间施加电压时，电子可以自由流动，沟道导通，场效应晶体管就开启了。

10.一般N沟道场效应管，漏极Drain接电源正极，源极Source接电源负极。

美好的春光

鼓励的话语：态度决定一个人的高度！

本文内容由小苹整理编辑！