双极结型晶体管原理(什么是双极结型晶体管)

导语：双极结型晶体管，知多少

双极结型晶体管管( Bipolarity Junction Transistor) ，简称BJT，又称为三极管。它与二极管的区别是有三个引出电极，基本组成结构仍然是PN结。（看图[狗头][狗头]）

三极管在电子电路中贡献最大[机智]最宝贵[抠鼻]的特性是具有电流放大作用，其特性以NPN管简单示意如下:

三极管中N、P、N即发射区半导体、 基区半导体、集电区半导体的。当BE结正偏置，BC结反偏置时（Uc>Ub），发射结将会有从基区流向发射区的基极电流Ib,同时集电结将会反向导通，形成集电极电流，从集电区经过基区流向发射极。基极电流与集电极电流叠加形成了发射极电流。因发射结、集电结的厚度不等影响了载流子的分配，I> I I.之间将会有如下关系:

由三极管中N、P、N，也即发射区半导体、基区半导体、集电区半导体的特殊处理.工艺，使得BE结正偏置，BC结反偏置时[U>U]，发射结将会有从基区流向发射区的基极电流Ib，同时集电结将会反向导通，形成集电极电流，从集电区经过基区流向发射极。基极电流与集电极电流叠加形成了发射极电流。因此发射结、集电结的厚度不等影响了载流子的分配。

则Ib、 le、Ic如下关系:

公式得出结论[奸笑][奸笑]只要满足偏置条件，集电极电流总是等于基极电流的一个常数倍β，常数β称为共发射极电流放大系数，该常数可以通过加工工艺进行控制，其数值为几十到几千（超β管）。NPN以及PNP管仅仅在极性上相反，对电源的要求相反，其它分析相同（是时候去翻翻模电了[狗头]）

认识了三极管的原理，怎么能不清楚它的伏安特性[灵光一闪]

器件的伏安特性是指器件的电压-电流转移关系。BJT的伏安特性主要用来定性说明晶体管各极电流与电压的关系，最常用的特性分为输入特性和输出特性。简单介绍一下共发射极接法的输出、输入特性曲线。

NPN共发射极电路

NPN共发射极电路输入特性曲线

结论:

1、当Uce =0时，输入特性与常规的二极管特性相似。因为此时的集电极与发射极等效为并联，BJT等效于两个并接的二极管。

2、当Uc>1V时，特性曲线右移!Ube的值有所增加，这在设计精密电路时应该考虑

NPN共发射极电路输出特性曲线

结论:

1、截止状态:当Ib减小到一定 值时，不管Uce如何变化，Ic几乎不变，此时定义为BJT的截止状态，截止区为上图水平阴影区域。

2、饱和状态:当Ucc减小到一定值时，不管Ib如何变化，Ic都不会按比例增加（Ucc接近或小于Ube），此时定义为BJT的饱和状态。

3、放大状态:Ic与Ib成倍数比例关系。若0<Ube≤Ubeo，则Ie= 0。此时I= -Icbo，Ic= Iebo,，Ib = -Iabo这条曲线是截止区与放大区之间的分界线。

[灵光一闪][灵光一闪]注意:Ico称为CE穿透电流，硅管的穿透电流通常小于1uA，锗管的为0.5~1.5mA，且会随温度的增加而增加。另外，当Uc增 加一定值时，Ic也突然增加，不受Ib控制，这是因为CE极间发生击穿，击穿电压的大小与流过集电极的电流大小有关。CE击穿很容易损坏BJT，故在工程设计电路中也要同时考虑Uce的电压范围

学习在于坚持，知识源于共享[灵光一闪][灵光一闪]

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